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手机中MOS管的应用

一.防烧MOS管


防烧MOS的应用位置如下,在手机充电线路中VBUS走线上,并联一颗NMOS,MOS管的D极接VBUS,S极接地,G极接到AP,通过AP通过防烧MOS的打开和关闭。防烧MOS管主要是在充电过程中检测到充电端口进水、有异物、短路的时候打开防烧MOS管,充电电流从防烧MOS管流过,相当于把VBUS通过一个很小的电阻短路到地上,这时电流会超过充电器的最大输出电流,触发充电器输出短路保护,充电器会发生过流保护无电压输出。从而起到保护作用。

防烧MOS管和普通功率MOS管的的一个重要差异的Vth较低,比如PMPB13XNE Vth最大0.9V,这是因为目前手机平台的GPIO电压是1.8V,如果Vth较大1.8V无法保证MOS完全打开。

防烧MOS管的应用位置图。


实际原理图连接关系如下,下面是某客户的某项目的原理图。


当前几个手机客户用的防烧MOS管型号如下:

表1


二.绿厂的VOOC直充电路


可参考我写的第二篇文章充电5分钟 通话2小时- OPPO VOOC快充电路,绿厂的VOOC直充用2颗背靠背的NMOS,一颗用做OVP用,一颗用做防漏电用。所用的MOS管型号包含在后面提到的做OVP用的型号中,表2。


三.做OVP开关


在Chargepump充电IC的输入端,串联MOS管做OVP开关,MOS管的G极有Chargepump OVP_DRV 脚来控制,输出电压达到OVP门限时,充电IC关闭MOS管,进而保护充电IC。


当前一些客户主要是使用的MOS管型号如下:

表2


四.做OVP开关+防漏电


当无线充电和有线充电使用同一颗充电IC(Chargepump)的时候,在无线充电路径上串联2颗NMOS,在有线充电路径上串联2颗NMOS,如果像上节一样只串联一颗MOS管的话,如黄色路径——有线充电的时候电压会通过MOS管的寄生二极管漏到无线充电IC的输出端,或者如红色路径——无线充电的时候电压会通过MOS管的寄生二极管漏电到Type-C接口。背靠背并联两颗就很好的解决了这个问题。MOS 管型号参考表2。


当然有的客户有线充电和无线充电不是走同一颗充电芯片,有的客户无线充电会单独加一颗小功率的Chargepump 充电IC,这种方案有线充电端可以只使用一颗MOS。






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